개념 한 쪽
수질환경기사 ICP-AES 분석 — 고온 플라스마와 간섭
ICP-AES의 고온 플라스마가 화학적 간섭을 줄이는 이유, AAS와의 차이, 물리적 간섭의 보정과 분광학적 간섭의 원인을 익힌다.
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뜻
ICP-AES는 고온의 플라스마에서 시료를 원자화·여기시켜 방출되는 빛을 측정하는 금속 분석법이다. 플라스마 온도가 높아 화학적 결합을 끊는 에너지가 충분하므로, 화학적 간섭은 불꽃 분광법보다 적게 나타난다. 화학적 간섭이 고온에서 오히려 현저하다고 설명하면 틀린다.
물리적 간섭은 시료의 점도나 분무 효율 차이에서 생긴다. 시료를 희석하거나 내부표준법을 사용하여 보정한다. 분광학적 간섭은 분석 원소의 선과 다른 원소의 선이 겹쳐 생긴다.
원자흡수분광광도법은 불꽃 온도가 상대적으로 낮아 화학적 간섭의 영향을 받기 쉽다. ICP-AES는 고온 플라스마로 이 약점을 줄인다는 차이가 있다. 두 방법 모두 시료의 물성 차이에서 오는 물리적 간섭은 별도로 보정해야 한다.
예제
선지 판단은 ICP-AES의 고온 플라스마가 화학적 간섭을 억제하는지, AAS와 간섭 특성을 구분하는지, 물리적 간섭을 희석·내부표준법으로 보정하는지, 선 겹침을 분광학적 간섭으로 보는지에서 갈린다. 화학적 간섭이 고온에서 현저하다고 한 선지가 틀린다. 물리적 간섭의 보정에서 희석과 내부표준법을 부정하는 선지도 어긋난다. 선 겹침을 화학적 간섭으로 돌리는 선지도 성립하지 않는다.
자주 묻는 물음
- ICP-AES에서 화학적 간섭이 적은 이유는 무엇인가요?
- 고온의 플라스마가 화학적 결합을 끊을 만큼 충분한 에너지를 주기 때문입니다. 그래서 화학적 간섭은 불꽃 분광법보다 적게 나타납니다. 화학적 간섭이 고온에서 현저하다고 설명하면 틀립니다.
- ICP-AES와 AAS의 간섭 특성은 어떻게 다른가요?
- AAS는 불꽃 온도가 상대적으로 낮아 화학적 간섭의 영향을 받기 쉽습니다. ICP-AES는 고온 플라스마로 화학적 간섭을 줄입니다. 두 방법 모두 시료의 물성 차이에서 오는 물리적 간섭은 별도로 보정합니다.
- ICP-AES의 물리적 간섭과 분광학적 간섭은 어떻게 보정하나요?
- 물리적 간섭은 시료의 점도나 분무 효율 차이에서 생기므로 시료를 희석하거나 내부표준법으로 보정합니다. 분광학적 간섭은 분석 원소의 선과 다른 원소의 선이 겹쳐 생깁니다.
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