다이오드는 PN 접합 구조의 반도체 정류 소자로 순방향으로만 전류를 흘려 교류를 직류로 바꾼다 — 게이트 같은 제어 단자가 없어 턴온·턴오프를 외부에서 제어할 수 없다는 점이 사이리스터·IGBT·MOSFET과의 차이로 출제된다. 접속에 관한 문항은 직렬과 병렬의 효과를 갈라 놓는다 — 여러 개를 병렬로 연결하면 소자들이 전류를 나눠 부담해 허용전류(용량)가 늘어나고, 직렬로 연결하면 역내전압 부담이 분산돼 내전압이 늘어난다.
반파정류의 정류효율은 4/π² ≈ 40.6%로 전파정류(약 81.2%)의 절반이다 — 한쪽 반주기만 쓰기 때문에 맥동이 크고 직류 성분 비율이 낮다.
최대 역전압(PIV) 계산이 가장 자주 나온다 — 단상 반파정류에서 직류 평균전압은 첨두값의 1/π(실효값의 약 0.45배)이고, 다이오드가 견뎌야 할 역전압의 최대값은 그 첨두값과 같아 PIV = π × 직류전압으로 잰다. 직류 150V를 얻으려면 150π ≈ 471V 이상(약 470V), 직류 50V면 50π ≈ 157V 이상의 다이오드를 골라야 한다. 전파정류의 전류 계산은 파형률 관계 I = (π/2√2)Id ≈ 1.11Id를 쓴다 — 직류 100A를 얻으려면 정류기 교류측 전류는 약 111A여야 한다.
공식 교재로 짚기
학습목표: 다이오드 기반 정류기와 사이리스터 기반 위상 제어 정류기의 출력전압 제어 가능성 차이를 설명할 수 있다.
다이오드 소자를 이용한 경우 정류기의 기본 회로 중에서 단상 반파 회로와 단상 전파 회로와 3상 반파·전파 정류 회로의 출력 전압의 제어는 불가능하지만
NCS 학습모듈 1901050105 전력변환기 설계 · 1-1. 전력변환기 회로 확인
예제
① PIV — 직류 150V: PIV = 150π ≈ 471V(실효값 경로: 150/0.45 ≈ 333V, √2배 ≈ 470V). ② 전파정류 전류 — I = 1.11 × 100 = 111A.
대표 기출 3문항
단상 다이오드 반파정류회로인 경우 정류 효율은 약 몇 % 인가? (단, 저항부하인 경우이다.)
12.6
40.6
60.6
81.2
정답과 해설 보기
정답 ② · 단상 반파정류(저항부하)의 정류효율은 , 즉 약 40.6%로 알려져 있습니다. 반파정류는 전파정류(약 81.2%)의 정확히 절반 수준 효율을 가지며, 이는 반파정류가 한쪽 반주기만 이용해 맥동률이 크고 직류성분 비율이 낮기 때문입니다.
반파정류(저항부하)의 정류효율은 4/π²≈0.406, 즉 약 40.6%이다.
PN 접합 구조로 되어 있고 제어는 불가능하나 교류를 직류로 변환하는 반도체 정류 소자는?
IGBT
다이오드
MOSFET
사이리스터
정답과 해설 보기
정답 ② · 다이오드는 PN접합 반도체로 순방향으로만 전류를 흘려 교류를 직류로 변환하는 정류소자이며 별도의 게이트 제어단자가 없어 턴온/턴오프를 제어할 수 없다. 반면 사이리스터(SCR), IGBT, MOSFET은 게이트(또는 베이스) 신호로 도통을 제어할 수 있는 소자이다.
다이오드는 PN접합의 제어 불가능한 정류소자로, 순방향에만 전류를 흘려 교류를 직류로 바꾼다.
단상 반파정류로 직류전압 150[V]를 얻으려고 한다. 최대 역전압(Peak Inverse Voltage)이 약 몇 [V] 이상의 다이오드를 사용하여야 하는가? 단, 정류회로 및 변압기의 전압강하는 무시한다.
150
166
333
471
정답과 해설 보기
정답 ④ · 단상 반파정류회로에서 직류전압 이므로 최대값(첨두값) . 반파정류에서 다이오드가 견뎌야 할 최대역전압(PIV)은 이 아니라 교류 최대전압의 √2배 관계가 아닌, 실제로는 이고 이므로 결국 가 아닌 표준식 대입 시 약 471V.
반파정류 PIV=π×Vdc=3.14×150≈471V이므로 471V 이상의 다이오드가 필요하다.