출제기준 단원 「유기·무기물질 전처리」의 공개 문제 3개를 묻는 꼴별로 나누면 이렇습니다.
묻는 꼴
문제 수
무엇을 묻나
ICP-OES 가스유량 판별
1
냉각·보조가스의 역할과 적정 유량 범위를 가려내기
분무기 적용대상 판단
1
시료 성상에 따른 동심축·바빙톤 분무기 선택을 가리기
수은 정량 전처리 순서
1
디티죤법의 처리 순서(산화→추출 등)를 판단하기
뜻
유도결합플라스마 발광광도계(ICP-OES)는 시료를 플라즈마 상태로 분해하여 원소 발광을 측정하는 장치이다. 플라즈마 유지와 시료의 안정적 도입을 위해 냉각가스, 보조가스, 운반가스 등 세 가지 가스의 역할과 유량 범위를 숙지해야 한다. 냉각가스는 코일과 플라즈마 튜브를 보호하고 플라즈마를 튜브 벽에서 떨어뜨리는 역할을 하므로 다량의 유량이 필요하다. 반면 보조가스는 플라즈마의 시작을 돕고 시료가 튜브 중앙을 통과하도록 유도하는 역할을 하므로 저유량을 사용해야 한다.
분무기 선택은 시료 성상에 따라 결정한다. 점성이 낮고 깨끗한 시료에는 동심축 분무기를 사용하고, 점성이 높거나 입자성 물질이 포함된 거친 시료에는 바빙톤 분무기를 사용하여 노즐 막힘을 방지하고 안정적인 시료 도입을 확보한다. 분무기 적용 기준을 혼동하면 분석 품질 저하로 이어지므로 '동심축=일반 시료', '바빙톤=고점성·입자 시료'로 구분하여 기억한다.
원자흡광광도법(AAS)은 시료를 원자로 해리하여 바닥상태(기저상태)의 중성원자가 특정 파장의 빛을 흡수하는 현상을 이용해 흡광도를 측정하는 기법이다. 흡수에 관여하는 원자는 바닥상태여야 하므로 '흡수=바닥상태' 원리를 기준으로 문제를 접근한다. 또한 AAS에서 발생하는 간섭은 화학적 간섭, 물리적 간섭, 이온화 간섭 등으로 구분되며, 특히 화학적 간섭은 내화성 화합물 형성으로 원자화가 저해되어 흡광도가 낮게 나오는 현상임을 이해해야 한다.
화학적 간섭을 회피하거나 완화하기 위한 방법으로는 은폐제나 킬레이트제 첨가, 용매 추출 등 시료 전처리를 통해 간섭원을 제거하거나 분리하는 방법이 있다. 또한 이온화 간섭 대비로는 이온화 전압이 낮은 원소를 첨가하여 우선적으로 이온화시키게 하는 방법을 사용할 수 있으나, 이온화 전압이 높은 원소를 첨가하는 것은 화학적 간섭 회피 방법으로 적절하지 않다.
수은 분석에서 사용되는 디티죤법은 시료 내 수은을 먼저 산화시킨 다음 디티죤으로 추출하는 흐름을 따른다. 산화→추출→측정의 순서를 지키는 것이 중요하며, 순서가 뒤바뀌면 방법론적 오류가 발생한다. 이 순서 원리는 수은의 전처리 및 분리 과정에서 단계별 목적을 명확히 이해하는 데 도움이 된다.
예제
- ICP-OES 장비 설정 오류 판별 예시: 보조가스는 플라즈마 위치 고정을 돕는 유량으로 통상 낮은 범위를 사용하므로 보조가스를 5~10L/min로 제시한 설명은 장비 운용 범위를 벗어난 과다 유량으로 오답이다. 반대로 냉각가스는 코일 보호를 위해 상대적으로 많은 유량이 필요하므로 다량 유량이 타당하다는 점을 대조하여 판단한다.
- 분무기 선택 예시: 점성이 높은 시료나 입자 혼입 시에는 바빙톤 분무기를 선택해야 한다. 문제에서 '동심축은 거친 시료에 사용한다'라는 보기가 나오면 분무기 적용 대상을 반대로 설명한 것이므로 오답으로 판단한다.
- 디티죤법 순서 예시: 수은 분석 시 산화 처리를 먼저 하고 그다음에 디티죤으로 추출하는 절차를 따르는지 확인한다. '역추출을 산화 전에 수행한다'는 서술은 순서 오류로 오답이다.
대표 기출 3문항
[원자흡광 광도법의 시험방법은 시료를 적당한 방법으로 해리시켜 중성원자로 증기화하여 생긴 ( )의 원자가 이원자 증기층을 투과하는 특유 파장의 빛을 흡수하는 현상을 이용하여 광전측광과 같은 개개의 특유 파장에 대한 흡광도를 측정한다.] ( )안에 알맞는 내용은?
여기상태
이온상태
바닥상태
분자상태
정답과 해설 보기
정답 ③ · 문제는 원자흡광광도법에서 빛을 흡수하는 원자의 상태를 묻고 있다. 원자흡광광도법은 중성원자가 바닥상태(기저상태)에 있을 때 특정 파장의 빛을 흡수하여 들뜸으로써 흡광도를 측정하는 원리를 이용한다.
원자흡광광도법은 중성원자가 기저상태에서 특정 파장의 빛을 흡수하는 원리를 이용한다.
유도결합 플라스마 발광광도계 장치의 조작법중 설정조건에 대한 설명이다. 잘못된 것은?
고주파출력은 수용액시료의 경우 0.8-1.4kw, 유기용매시료의 경우 1.5-2.5kw로 설정한다.
가스유량은 일반적으로 냉각가스 10-18L/min, 보조가스 5-10L/min 범위이다.
분석선(파장)의 설정은 일반적으로 가장 감도가 높은 파장을 설정한다.
플라스마 발광부 관측 높이는 유도코일 상단으로부터 15-18mm범위에 측정하는 것이 보통이다.
정답과 해설 보기
정답 ② · 유도결합 플라스마 발광광도계(ICP-OES)의 설정 조건 중 가스 유량은 플라즈마를 안정적으로 유지하는 데 매우 중요합니다. 일반적으로 냉각가스는 10~18L/min 범위로 설정하지만, 보조가스는 보통 0~1.5L/min 정도의 낮은 유량으로 설정하여 플라즈마의 형태를 유지하고 시료의 도입을 돕습니다.
흡광광도법에서 추출작업전 불순물을 제거하기 위하여 황산, 질산, 과망간산칼륨혼합용액으로 산화 과정을 거친후 역추출하여야 한다.
정답과 해설 보기
정답 ④ · 수은을 디티존(Dithizone) 흡광광도법으로 측정할 때는 시료 내의 불순물 방해물질을 제거하기 위해 산화 과정을 거칩니다. 이때 추출 작업 전에 황산, 질산, 과망간산칼륨 혼합용액을 사용하여 수은을 이온 상태로 산화시킨 후 디티존 사염화탄소로 수은을 추출해야 합니다.